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• 碳化硅SiC的市场格局及其带来的工程挑战

  碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体，SiC功率器件的研发从1970年代就开始了，到了1980年代，SiC晶体质量和制造工艺获得了大幅改进，90年代末，除了美国之外，欧洲和日本也开始投入资源进行研发。此后，行业开始加速发展。到2001年英飞凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二极管，接着科锐（Cree）在2002年推出了600V~1200V（

  2020-01-11 pan

• 碳化硅应用前景广泛

  “得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后，将打破国外垄断，推动国内5G芯片技术和生产能力的提升虽然学术界和产业界很早认识到碳化硅相对于传统硅材料的优点，但是由于制造设备、制造工艺与成本的劣势，多年来只是在小范围内得到应用，无

  2020-01-10 pan

• 什么是碳化硅？

  碳和硅的原子序数分别为6和14，在元素周期表中处于碳族元素的第二和第三周期，即上下相邻的位置。这种位置关系，表明它们在某些方面具有类似的性质。碳元素在我们的生活中无处不在，含碳化合物是生命的物质基础。硅也在地壳中的含量巨大，尤其是它在半导体和现代通讯业中的应用，推动了人类文明的发展。在化学的世界里，碳和硅是同一族的亲兄弟；在我们生活的地球上，他们共存了数十亿年，却没有结成生死与共的牢固友谊，自然界

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• 5G时代最重要的半导体材料：碳化硅

  进入 5G 世代，5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。 而利用 SiC 制作出的电子零组件相对于 Si 的优势主要来自三个方面： 降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。根据 Yole Développement 报告指

  2020-01-08 pan